第75章 就你了! !
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DUV光刻机大多采用的是波长为193
m级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248
m的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128
m到90
m之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28
m，但却是以牺牲良品率为代价！
几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28
m制程芯片，至少需要曝光5次以上！
先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28
m也远远解决不了钉子现在的危机。
更别提暴增的材料成本了。
光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。
在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？
在目前，DUV光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14
m、7
m、5
m等更高制程的需求了，这时候就需要依靠EUV光刻机。
EUV光刻机采用的是一种13.5
m的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。
用EUV光刻机制造7
m级芯片，只需要曝光一次。